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AMIS制造工艺
AMIS工艺可通过MOSIS获得，包括1.5 µm CMOS,
0.7 µm high voltage CMOS, 0.5 µm CMOS, 以及 0.35 µm high voltage CMOS.
austriamicrosystems制造工艺
通过MOSIS提供austriamicrosystems的工艺包括：0.35 µm CMOS, high
voltage CMOS, 以及 SiGe
BiCMOS.
IBM制造工艺
通过MOSIS提供的IBM制造工艺包括：从65 nanometer到0.25 µm的CMOS, 以及从 0.13 µm 到 0.50 µm的SiGe BiCMOS.
台积电（TSMC）制造工艺
通过MOSIS获得的台积电逻辑及混合模式制造工艺包括：0.35 µm CMOS,
0.25 µm CMOS,0.18 µm CMOS, and 0.13 µm CMOS。
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